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    产品中心
    • OTF-1200X-50-DSL是一款水平滑轨炉,其炉管直径为Φ50mm,炉体滑动速度可以根据实验需要而设置(1mm/sec-100mm/s),并可以设置左右反复滑动,同时还可以设置炉体的滑动距离。此款管式炉专门设计用CVD方法定向生长单壁碳纳米管(SWCNTs)。通时此款滑轨炉也可用来在硅片上生长熔点较低的金属单晶。此系统包含了可设30段程序的高温炉、一根Φ50*1000mm的石英管和一套不锈钢真空法兰。
    • SKJ-M50-16 金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备。可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下,在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性,本设备可采用中频感应加热电源,以及石墨电阻加热两种加热电源。采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温,使结晶体按照一定的直径进行控制。
    • SKJ-50 晶体生长炉是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料(YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等)的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时,为了避免可变因数造成的影响,一台性能稳定的单晶生长设备是非常必要的,然而很多晶体生长设备是非常昂贵的。沈阳科晶可提供性能稳定,价格适中的SKJ-50 单晶生长炉,可生长多种高熔点氧化物晶体,晶体尺寸达2-3"
    • VTF-1600X6 Furnace is vertical tube furnace with 6" diameter one end closed alumina tube and stainless steel flange / ball valve. It is designed for processing advanced material up to 1600oC. The Pr
    • 我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备,是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内,并通过控制加热炉体缓慢的上升,形成一个温度梯度,炉温控制在略高于材料的熔点,在通过加热区域时,坩埚中的材料被熔融,当炉体持续上升时,坩埚底部材料低于熔点以下,并开始结晶,晶体随炉体上升而持续长大。这种方法通常拥有金属单晶双晶的生长,用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶生长等。我公司在
    • 提拉法晶体生长炉SKJ-50CZ是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时,为了避免可变因数造成的影响,一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的,然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。可提供性能稳定,价格适中的提拉法晶体生长炉SKJ-50CZ,可生长多种氧化物高熔点晶体,晶体尺寸达 2-3" 。
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